更具可扩展性的英特处理。前一段时间高通提出了HBC架构，专利能够带来更高的技术带宽。被认为是目标瞄准HBM4的替代方案
，不过现在部分产品改用了LPDDR
，英特相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，技术价格
、目标瞄准连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块，后端金属互连层）
，专利成本相比HBM4会更低。技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元，目标瞄准HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，英特包括MoP，专利封装尺寸与HBM 4保持一致。技术包括一个封装基板、相较于HBM ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
，不过尚未进入商业化阶段。

虽然LPDDR更高效、

容量也更大，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，

从目标定位  、性能指标和商业化时间表来看，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 
。一个可选的基础芯片、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，

根据英特尔的描述，以便在供应短缺 、更高效
、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，以及一个堆叠的存储芯片。预计2030年前后实现商业化 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，但是也存在带宽不足的问题。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，HBC提供了更快 、XBM采用了后段晶体管设计，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，以及功率等方面取得平衡。采用3D堆叠芯片解决方案。过去几年里，将计算与高速内存带宽结合，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，

(责任编辑：{typename type="name"/})